CHA3666-99F 由深圳市立年电子科技有限公司代理销售，CHA3666-99F是两级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准的pHEMT工艺制造：栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术。
CHA3666-99F 产品特性
宽带性能：6-17GHz
1.8dB噪声系数
26dBm三阶拦截点
1dB压缩时17dBm功率
21dB增益
低直流功耗
直流偏置：Vd=4.0Volt@Id=80mA
芯片尺寸1.47x1.47x0.1mm
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